等離子增強化學氣相沉積爐備配有Plasma實現等離子增強，滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置，可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力，帶刻度的調節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實用，工藝重復性好，對于石墨烯生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。

　　主要功能和特點：

　　1、利用輝光放電產生等離子體電子激活氣相；

　　2、提高了氣相反應的沉積速率、成膜質量；

　　3、可通過調整射頻電源頻率來控制沉積速率；

　　4、能廣泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生長。

 

　　優(yōu)點：

　　等離子增強化學氣相沉積爐的主要優(yōu)點是沉積溫度低，對基體的結構和物理性質影響小；膜的厚度及成分均勻性好；膜組織致密、針孔少；膜層的附著力強；應用范圍廣，可制備各種金屬膜、無機膜和有機膜。

 

　　等離子增強化學氣相沉積爐的制取方法：

　　在沉積室利用輝光放電使其電離后在襯底上進行化學反應沉積的半導體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法。等離子體增強化學氣相沉積是：在化學氣相沉積中，激發(fā)氣體，使其產生低溫等離子體，增強反應物質的化學活性，從而進行外延的一種方法。該方法可在較低溫度下形成固體膜。例如在一個反應室內將基體材料置于陰極上，通入反應氣體至較低氣壓（1～600Pa），基體保持一定溫度，以某種方式產生輝光放電，基體表面附近氣體電離，反應氣體得到活化，同時基體表面產生陰極濺射，從而提高了表面活性。在表面上不僅存在著通常的熱化學反應，還存在著復雜的等離子體化學反應。沉積膜就是在這兩種化學反應的共同作用下形成的。激發(fā)輝光放電的方法主要有：射頻激發(fā)，直流高壓激發(fā)，脈沖激發(fā)和微波激發(fā)。